日本IWATSU CS-8000半導體特性曲線圖示儀介紹：

日本IWATSU CS-8000半導體特性曲線圖示儀可與多種單元組合，支持任何工序的特性評估，適用于下一代的半導體測量。搭載zui大電壓5kV、zui大電流2kA，備有脈沖輸出、門極模式、微電流測量功能，大力支持Sic、GaN等寬禁帶半導體的設計評估。搭載12.1英寸TFT-LCD(1,280×800)的高清、大畫面顯示器、添加觸摸屏幕操作功能、可通過前面板上的功能鍵、各功能的獨立旋鈕實現直觀操作。

產品特點：

zui大5kV、zui大2000A的大功率測試

正確的微電流測量 (分辨率250fA)

大畫面12.1英寸觸摸屏幕

多種GATE信號輸出功能

充實的溫度特性測量選配件

探測臺上的大功率晶圓測試

主要規格

門極電壓　：　±40 V

電壓量程　：　0.2 ～ 5 kV

最大測量電流　：　2 kA

電流測量分辨率　：　250 fA

實測時的好處

支持SiC及GaN設備

還可支持晶圓及小功率設備

還可支持大功率設備

支持微電流測量

易于使用的UI

搭載12.1英寸TFT-LCD(1,280×800)的高清、大畫面顯示器、添加觸摸屏幕操作功能、可通過前面板上的功能鍵、各功能的獨立旋鈕實現直觀操作。
①X-Y顯示區域

可將任意電壓/電流參數分別設置于X軸、Y軸、并顯示Vds-Id特性、閾值電壓、Vds-Vgs飽和特性等各種半導體特性曲線。同時、還可在Y軸上設置多個參數。刻度可在Log/線性之間相互切換。

②Y-T顯示區域

可像示波器一樣通過時間軸顯示測量印加波形。可實時確認脈寬、測量點、振蕩等波形異常等、所以可輕松檢驗測量是否正確完成。 所有印加波形數據均可與X-Y顯示的數據同時保存、所以可對測量結果再次執行檢驗。

③測量數據顯示區域

以文本方式顯示詳細測量結果和測量條件、狀態。

④配置設置區域

設置設備的測量配置。支持以圖形方式顯示電壓/電流單元的選擇及配線變更等

⑤參數設置區域

在此區域執行測量參數/測量限值的設置及手動/自動測量的切換等作業。

⑥操作面板

正面面板上配有按鈕和轉動旋鈕、可輕松執行手動測量。 配置于的數字鍵可執行參數的數值輸入。 可通過DRAIN/COLLECTOR/GATE/BASE/垂直軸/水平軸轉動旋鈕輕松執行手動測量。

基于用途的輸出源

可基于用途任意選擇測量所需電壓/電流單元。
右側照片分別為：
上段：測試臺
下段：大電流單元

HV單元

2kV、5kV的高電壓單元。DC/脈沖波可選。額定電壓/額定電流驅動測量可選。

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MV單元(所有主單元共通)

200V的中電壓單元。額定電壓/額定電流驅動測量可選。DC、脈沖等、SIN、半波、全波波形可選。

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GATE單元(所有主單元共通)

40V的單元。額定電壓/額定電流驅動測量可選。DC、脈沖等、SIN可選。

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HC單元

搭載大電流模式、由此可支持zui大2000A的大電流測量。脈寬、測量周期、測量范圍均可調整

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最小電流分辨率 250 fA

通過三軸的采用和測量類的優化、有效削減了設備內的漏電流和噪聲、可實現微電流的穩定測量。

多種GATE信號輸出

可按排序輸出、印加GATE信號。
保持時間可調范圍
0.000[s] ～ 5.000[s]
預備信號電壓范圍
GATE側 -40[V] ～ +40[V]

遲滯測量

CS-8000 系列具有測量寬帶隙半導體 (如具有磁滯的 SiC 和 GaN) 的便捷功能。

雙重掃頻功能可同時顯示UP掃頻、DOWN掃頻、所以可執行遲滯觀測。

安全機構

添加聯動功能、備有輸出限值功能。

可為電壓/電流/功率分別設置限值、由此防止DUT的損傷。
同時、通過硬件的過電流保護功能、在流入測量量程的1.4倍電流時即會阻斷電流。

組合結構

可根據測量對象電壓和電流選擇HC單元或測試臺。

■ 結構示例　　在2kV、2,000A環境下使用時
主單元：CS-8200
HC單元：CS-220
測試臺：CS-322 HV/HC
附件電纜：
　HV標配電纜套裝 CS-021
　HC標配電纜套裝 CS-022

CS-8000系列 主要規格

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• 使用HC單元時、需另行準備感應電纜。

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• 連接測試臺時、需另行準備連接線。

電纜 (連接測試臺及HC單元時使用)

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連接線套裝(一套您需要的所有電纜)